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          nce65t540參數代換,引腳圖,6165C場效應管-KIA MOS管

          信息來源:本站 日期:2023-09-19 

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          nce65t540參數,引腳圖,6165C

          KNF6165C最高承受電壓可達650V,漏極電流最大值為10A,柵源電壓:±20V,脈沖漏極電流:40A,RDS(ON)=0.8Ω(典型值)@VGS=10V;封裝形式:TO-220F;腳位排列位GDS。KNF6165C溝道增強型硅柵功率MOSFET專為高壓、高速功率開關應用而設計,如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮流器。6165C 650V 10A場效應管能夠代替nce65t540型號產品,高效質優,國產原廠。


          nce65t540參數,引腳圖,6165C-特點

          快速切換

          RDS(ON)=0.8Ω(典型值)@VGS=10V

          低柵極電荷

          低反向傳輸電容

          100%單脈沖雪崩能量測試


          nce65t540參數,引腳圖,6165C-封裝

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          nce65t540參數,引腳圖,6165C規格書


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          KIA從研發設計到制造封裝,再到倉儲和物流等擁有專業的團隊,讓客戶從一個想法變成成品,讓客戶產品亮點無限擴大的一體化服務。

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